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曽根正人准教授とエス・イー・エス株式会社の研究が日経産業新聞に掲載されました。(2007年9月3日)

【説明文】
曽根正人准教授はエス・イー・エス株式会社とともに，高圧二酸化炭素を用いた新規な半導体銅配線形成技術の開発に成功しました。この方法でめっき配線を行うと従来の電気めっきに比し硬度が倍以上で且つ緻密で均質なつき廻りの良い薄膜（１～1.5ミクロン）のめっき皮膜が得られる事から金属使用量が少なく表面の凹凸が無い製品ができます。又電気めっき中に発生する水素気泡が炭酸ガスに溶け込むためピンホールが生じず耐酸性が強く腐食しにくい製品が出来ることが明らかになりました。そこで、エス・イー・エス株式会社は、この新規な半導体銅配線形成技術の事業化を計画しております。