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益一哉教授，岡田健一助手の研究グループの研究成果が，化学工業日報に掲載されました。（2006年11月20日）

【内容】　
　
【広帯域(0.98-6.6ギガヘルツ)の発振器－シリコンCMOSで実現－】
益一哉教授，岡田健一助手の研究グループは，0.98GHzから6.6GHzで発振可能なLC型電圧制御発振器を開発した。複数の無線通信規格に対応可能なマルチスタンダード無線機に利用できる。従来，最低発振周波数と最高発振周波数の比が最高でも2倍程度であったが，開発した回路方式では6倍以上の発振範囲を可能とした。0.18um CMOSプロセスを利用して試作し，位相雑音の評価指標であるFoMTにおいて，-206dBc/Hzを達成した。