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益研究室の研究が日経マイクロデバイスのサイト記載されました．（2004年12月16日）

【内容】　
東工大益教授、岡田助手らは，オンチップ差動伝送線路と駆動回路を180nm CMOSプロセスで試作・評価し、その結果を用いて、90nmノードおよび45nmノードにおけるCMOS回路特性を予測した。グローバル配線に差動伝送線路を利用すると、 45nm世代ではこれまで予測されている15GHzの動作速度が40GHzに向上することを示した。これらの結果は12月15日にサンフランシスコで開催のIEDM（国際電子デバイス会議）で発表された。